，只是淡淡地說道：“沒想到你也懂啊，那……”

陸軍見形勢又不對，立即插嘴為付新解圍道：“黃伯伯，付廠長他很厲害的，他的技術，在我們廠裡那絕對是排第一，不過他平時工作太多，沒有把全部精力放在研發上去就是了。”

黃老爺子對陸軍打斷他說話有些不滿，不過他懂了陸軍的意思，也就沒有提出之前的問題，而是不高興地說了一句：“不務正業！”

付新囧了，他知道這黃老爺子要考考他，他對這個，根本不怕，心想著讓黃老爺更進一步改變對自己的印象，沒想到陸軍自作多情，幫他解圍，幫了倒忙。這些基礎知識，如果付新被考住，那可真是與眼前這個老頭子無緣了！

但是，泥人也有三分火氣，三番兩次地被這老爺子弄得尷尬，付新終於忍不住了，於是故意找了一個難題，向黃老爺子誠懇地問道：“老爺子，我以前聽說過一種英文縮寫名叫做IGBT，全稱叫做Insulated＿Gate＿Bipolar＿Transistor的絕緣柵雙極型電晶體，它是由BJT，雙極型三極體和MOS，絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

可是我一直搞不懂它的工作特性，為什麼分靜態特性和動態特性，靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性，動態特性我只知道一個，是IGBT在開透過程中，大部分時間是作為MOSFET來執行的，只是在漏源電壓Uds下降過程後期，PNP電晶體由放大區至飽和，因此又增加了一段延遲時間。我想問您，你知道這個這個IGBT絕緣柵雙極型電晶體的工作特性為什麼會這樣嗎？”

第二十七章　華興實業發展公司

關於IGBT絕緣柵雙極型電晶體的工作特性，要是黃老爺子真得能答出來，付新可真要保住黃老爺子大喊同行了！

不說別的，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即被介紹到世間，也才過去兩年，也就是一九七九年，IGBT概念的先驅MOS柵功率開關器件才問世。

另外，在付新的上輩子，到死也沒有見到我國真正擁有完全自主的IGBT“中國芯”，因為完全自主IGBT“中國芯”是到2013年9月12日我國自主研發的高壓大功率3300V/50AIGBT絕緣柵雙極型電晶體晶片及由此晶片封裝的大功率1200A/3300VIGBT模組透過了專家鑑定才問世的，這時候，付新已經穿越。

很可惜，黃老爺子不是付新的同行，他連IGBT這個英文縮寫詞都沒聽過，對於付新的問題，他根本答不上一句來，“呃……”黃老爺子的臉色漲的通紅。

不過黃老爺子這種純粹的研究人員，最重要的，是他們對新知識的渴求，所以沒過一會兒，黃老爺子就不恥下問地朝付新問道：“付同志，我為我之前對你的偏見道歉，你能給我講一講這個IG什麼BT嗎？”

“是IGBT，英文全稱Insulated＿Gate＿Bipolar＿Transistor，中文名叫做絕緣柵雙極型電晶體。”付新糾正道。

然後付新繼續說道：“它是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效電晶體）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件兼有MOSFET……的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。

IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電